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半导体载流子输运现象
半导体载流子输运现象 载流子输运是半导体器件工作的物理基础。从漂移、扩散到热发射、隧道效应，不同输运机制在不同器件中占主导地位。本文基于 Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析 Ch.1 §1.5 提炼，涵盖 8 种输运机制。 前后关系 前置知识： 半导体载流子浓度与费米能级 — 载流子浓度 半导体能带理论与带隙 — 有效质量 本书内部链条： 半导体载流子输运现象（本文）→ pn结电流电压特性与击穿 — 漂移+扩散决定 I-V → 金属半导体接触与肖特基势垒 — 热发射/隧道效应主导 M-S 接触 → 隧道二极管与共振隧道二极管 — 隧道效应器件 →...
金属半导体接触与肖特基势垒
金属半导体接触与肖特基势垒 金属-半导体接触是所有半导体器件的电流入口/出口。Sze Ch.3 系统阐述了肖特基势垒的形成机制（理想模型、界面态、镜像力降低）、五种电流输运过程（热发射、隧道、复合、扩散、少子注入）、势垒高度的四种测量方法、以及欧姆接触理论。本文基于 Sze Ch.3 全章提炼。 前后关系 前置知识： 半导体载流子输运现象 — 热发射、隧道效应、扩散 pn结电流电压特性与击穿 — pn 结二极管对比 pn结耗尽区分析 — 耗尽层理论（与肖特基势垒耗尽层类比） 本书内部链条： 金属半导体接触与肖特基势垒（本文）→ JFET MESFET与MODFET — MESFET 以肖特基结...