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Binkley Ch3 — MOS性能与反型系数（下）
Binkley Ch3 — MOS Performance vs ID, IC, L（下篇：电容/带宽/噪声/失配/漏电流） 下篇覆盖 §3.9-§3.12：电容和带宽、噪声（热/闪烁/栅漏）、失配（局部/距离）、漏电流（栅漏/结漏/亚阈值）。 §3.9 电容与带宽 栅氧电容 CGOX=Cox′⋅W⋅L 其中 Cox′=εox/tox。 本征栅电容 本征栅电容与 IC 的依赖关系（归一化到 CGOX）： 电容符号弱反型中反型强反型栅-源C^gsi0过渡2/3栅-漏C^gdi0过渡1/3（饱和）/ 1/2（线性）栅-体C^gbi1−1/n过渡0 EKV 模型统一表达式（用于设...
放大器频率响应基础
放大器频率响应基础 放大器的增益随频率升高而滚降，带宽是模拟设计的核心约束。本章基于 Razavi 第 6 章（Frequency Response of Amplifiers）提炼，该章以独立一章（相较于 Gray 分散在各章）系统覆盖各拓扑的频率响应分析方法，包含密勒定理、极点关联法、各基本放大级的精确传递函数推导、以及增益-带宽权衡。 前后关系 前置知识： MOS晶体管模型与特性（§1.5-§1.6）— 寄生电容 C_GS、C_GD、C_DB、C_SB 单管放大级（Ch.3）— CS/CG/SF 的低频特性 Cascode与多管放大级（Ch.3）— Cascode 的低频特性 本书内部链...