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GaN功率晶体管栅极驱动特性
GaN 功率晶体管栅极驱动特性 GaN（氮化镓）功率晶体管因其宽禁带特性，具有极低导通电阻、极低寄生电容和超高开关速度（dV/dt 达 1000 V/ns），但同时对栅极驱动提出了严格的电压额定限制和特殊的驱动方案需求。基于 Seidel & Wicht (2021) Ch.2, Ch.4。 GaN 器件结构 2DEG 与增强型方案 AlGaN/GaN 异质结构形成高导电 2DEG（二维电子气） 天然为耗尽型（normally-on） 器件 增强型（normally-off）方案： p-GaN（EPC eGaN®-FET）：p 掺杂层插入栅极与 AlGaN 之间 GIT（Gate In...
栅极驱动基础与功率级设计
栅极驱动基础与功率级设计 栅极驱动器（Gate Driver）是连接控制信号与功率晶体管的接口电路，其输出级配置、栅极环路寄生参数和谐振/非谐振驱动效率是理解 HVCS 和 HVES 概念的基础。本节内容基于 Seidel & Wicht (2021) Ch.2。 栅极驱动器输出级 三种输出级配置 (a) CMOS inverter (PMOS pull-up + NMOS pull-down)： 简单常用，PMOS约为相同导通电阻NMOS的3倍大 高压PMOS的比电阻可达NMOS的30倍 适用于较小输出电流 (b) Two-NMOS output stage： 节省面积与成本，需自举...