Pavan《Understanding Delta-Sigma Data Converters》Ch.11 带通与正交ΔΣ调制 深度解析
本章内容:阐述如何将 ΔΣ 转换器的噪声整形能力从基带扩展到中频/射频,涵盖带通 (Bandpass) 和正交 (Quadrature) 两种架构。核心内容包括 N-path 频率变换、谐振器电路实现、完整设计实例(65nm CMOS 可编程 ADC)、正交信号理论与多相处理。
衔接:Ch.1 (§1.7) 简介了带通 ΔΣ 的概念。Ch.2-4 建立的低通 NTF 综合与架构选择方法在本章的直接推广。 后续:Ch.13 (ΔΣ DAC) 和 Ch.14 (抽取/插值滤波器) 提供完整系统的数字部分。 附录:附录 B (ΔΣ 工具箱) 提供带通 NTF 综合的 MATLAB 代码支持,附录 C (LPTV 系统) 提供 N-path 变换的理论基础。
第 11 章目录结构
| 节号 | 标题 | 核心内容 |
|---|---|---|
| 11.1 | 带通转换的需求 (The Need for Bandpass Conversion) | 5种接收机架构对比、频率交织 |
| 11.2 | 系统概述 (System Overview) | BP-ΔΣ 与 Q-ΔΣ 系统框图、OSR 定义 |
| 11.3 | 带通 NTF (Bandpass NTFs) | NTF 设计、MATLAB 综合、零极点优化 |
| 11.3.1 | N-Path 变换 (N-Path Transformation) | z→-z², z→-z^m, z→e^{jθ}z 三种变换 |
| 11.4 | BP-ΔΣ 架构 (Architectures for BP-ΔΣ Modulators) | 拓扑选择、谐振器实现 |
| 11.4.1 | 拓扑选择 (Topology Choices) | 反馈/前馈/混合拓扑、DAC 消除 |
| 11.4.2 | 谐振器实现 (Resonator Implementations) | LDI 环路、SC、Gm-C、有源 RC、LC 谐振器 |
| 11.5 | 带通调制器设计实例 (Bandpass Modulator Example) | 65nm CMOS 可编程 ADC |
| 11.5.1 | LNA | 共栅-共源噪声抵消 LNA |
| 11.5.2 | 衰减器 (Attenuator) | 集成可编程衰减器、噪声分析 |
| 11.5.3 | 放大器 (Amplifiers) | 5阶前馈放大器 A1/A3 |
| 11.5.4 | 测量结果 (Measurements) | STF/NSD/SNR/FoM |
| 11.6 | 正交信号 (Quadrature Signals) | 基本原理、正交混频、正交滤波 |
| 11.6.1 | 正交混频 (Quadrature Mixing) | 复数下变频、镜像抑制比 IRR |
| 11.6.2 | 正交滤波器 (Quadrature Filters) | 格型结构、失配影响、多相滤波 |
| 11.7 | 正交调制 (Quadrature Modulation) | 复 NTF、失配影响、正交 DAC 实现 |
| 11.8 | 多相信号处理 (Polyphase Signal Processing) | 三相处理、3LO 消除、三阶失真抵消 |
| 11.9 | 结论 (Conclusions) | BP-ΔΣ 优势总结 |
核心内容深度解析
11.1 带通转换的需求
五种接收机架构对比(Figure 11.1):
| 架构 | 模拟复杂度 | ADC 要求 | I/Q 失配 | DC/1/f噪声 | 灵活性 |
|---|---|---|---|---|---|
| (a) 超外差 | 高(多级混频/滤波) | 低 | 无 | 不敏感 | 低 |
| (b) 直接变频 | 中(正交混频) | 中 | 有 | 敏感 | 中 |
| (c) BP-ADC @ 第一 IF | 中 | 中高 | 无 | 不敏感 | 高 |
| (d) Q-ADC @ 第一 IF | 中 | 中高 | 部分 | 不敏感 | 高 |
| (e) RF BP-ADC | 极低 | 高 | 无 | 不敏感 | 极高 |
关键洞察:
- 带通 ADC 兼具超外差(对 DC/1/f 噪声不敏感)和直接变频(结构简单)的优点
- RF BP-ADC 省去全部模拟下变频,支持快速跳频
- 当前(2017)商业产品中心频率上限约 450 MHz [5],GHz 级产品即将面世
频率交织(Frequency-Interleaving, Figure 11.2):
- 类比于时间交织 ADC 的宽带化思路:频率交织 使用多个 BP-ADC 覆盖不同频段
- 失配影响不同:TI-ADC 失配产生杂散/噪声,FI-ADC 失配仅导致频率响应不平坦
- 对接收机而言,线性度和无杂散动态范围远优先于传递函数平坦度,因此 FI 更具吸引力
11.2 系统概述
BP-ΔΣ ADC 系统(Figure 11.3):
- IF/RF 输入 → BP-ΔΣ 调制器 → 数字正交混频器 → 抽取滤波器 → 复基带数据
- OSR 定义与低通相同:(中心频率 不影响 OSR)
- 输出数据率为 (复数),降采样因子最大为 (低通为 OSR)
Q-ΔΣ ADC 系统(Figure 11.4):
- 正交信号输入 → Q-ΔΣ 调制器 → 数字正交混频 → 抽取滤波 → Nyquist 基带数据
- Q-ΔΣ 的量化噪声阻带只需在正频率(或负频率)一侧,效率更高
- Nyquist 频带为 ,总信息带宽为
- OSR 定义不同:,因此 Q-ΔΣ 有显著的 SQNR 优势
- 输出数据率为 ,抽取因子为 OSR
11.3 带通 NTF
NTF 设计要点:
- 带通 NTF 在通带内有 个零点 负频率侧也有 个零点 阶调制器对应低通 阶
- Lee 准则(|NTF|∞ < 2 或 < 1.5 条件)同样适用于二进制带通调制器
- 零点优化同样有效
MATLAB 设计示例(使用 ΔΣ Toolbox):
% 创建带通 NTF
osr = 32;
f0 = 1/6;
ntf = synthesizeNTF(6, osr, 1, [], f0);
% CRFB 拓扑实现
form = 'CRFB';
[a, g, b, c] = realizeNTF(ntf, form);
% 单输入注入
b(1) = abs(b(1) + b(2)/c(1)*(1 - exp(-2i*pi*f0)));
b(2:end) = 0;
ABCD = stuffABCD(a, g, b, c, form);
% 仿真
M = 16; N = 2^15;
ftest = round((f0 + 0.25/osr)*N)/N;
u = undbv(-1)*M*sin(2*pi*ftest*(0:N-1));
v = simulateDSM(u, ABCD, M);该示例展示了 6 阶 的 BP-ΔΣ,SQNR ≈ 102 dB @ OSR=32(Figure 11.7)。
11.3.1 N-Path 变换
N-path 变换是将低通原型映射为带通的核心技术,包含三种方法:
1. 变换(两路)(Figure 11.9-11.10):
- 两路交替极性系统,复合传递函数
- 低通 NTF( 个零点在 ) 带通 NTF( 个零点在 , 个在 )
- 阶带通调制器的稳定性和 SNR 与低通 阶完全相同
- 块级实现:每个延迟 z⁻¹ 替换为两个延迟 + 一个反相(Figure 11.11)
2. 变换(多路):
- 推广到 路,传递函数
- 零点搬移至 的整数倍
3. 变换(旋转):
- 将低通 NTF 的零极点按 旋转至任意中心频率
- 最灵活但电路实现最复杂
N-path 变换在失配整形中的应用(Figure 11.12):
- 对失配整形逻辑同样适用,如 MTF (旋转方案,Figure 11.12(a))
- MTF (两路交织,Figure 11.12(b))
11.4 BP-ΔΣ 架构
11.4.1 拓扑选择
基本拓扑(Figure 11.13):
- 反馈拓扑:量化器输出反馈至每个积分器输入端(优点:STF 平坦)
- 前馈拓扑:每个积分器输出前馈至量化器输入(优点:信号摆幅小)
- 混合拓扑:两者结合
带通反馈拓扑(Figure 11.14-11.15):
- 谐振器可从第一个或第二个积分器输出取信号
- 第二个积分器输出:低通型传递函数
- 第一个积分器输出:带通型 传递函数 (有 DC 零点,低通调制器不可用)
DAC 消除技术(Figure 11.16):
- 添加前馈路径可消除一个反馈 DAC,对 NTF 无影响但 STF 改变
- 可消除除最后一个外所有谐振器段的 DAC,节省近 50%
通用四参数耦合(Figure 11.17):
- 谐振器间通过四个增益块 耦合,囊括所有拓扑变体
11.4.2 谐振器实现
谐振器是 BP-ΔΣ 与 LP-ΔΣ 实现的核心差异。谐振器 Q 值不足的退化效应类似于 LP-ΔΣ 中积分器有限 DC 增益的效应:均降低 SQNR 并增加空闲音倾向。SQNR 退化在 时显著,因此高 OSR 需要高 Q。
1. LDI 环路(SC 实现)(Figure 11.18):
- 无损离散积分器(LDI)环路,特征方程:,
- 极点 ( 时),位于单位圆()
- 谐振频率:
- 频率灵敏度:,随 增大而增加。@ (即 ),1% 电容变化仅产生 0.6% 的 变化——电容匹配远优于 1%,精度充足
- 有限运放增益 下 ,易实现 (@ dB)
2. 两路 SC 谐振器(Figure 11.19-11.20):
- 利用 2-path 变换,单运放 即可实现 谐振器(Figure 11.19)
- 中心频率由拓扑决定而非电容比,电容误差不引起中心频率偏移
- 镜像问题(Figure 11.19 的固有缺陷):
- 路径失配(特别是 C 和 C’ 电容的失配)导致电路周期时变
- 信号与 及其谐波混频, 混频产生产生镜像——信号关于 的频域反转副本
- 的大幅度时钟泄漏到信号频带,产生带内音调
- 改进型(Figure 11.20):C 和 C’ 仅用于电荷存储,电荷-电压转换由路径无关的 执行 隐藏时变性;且不使用 时钟,消除杂散产生机制
3. Gm-C 谐振器(Figure 11.21):
- ,片上 和 容差 ,必须调谐
- 自激调谐法:谐振器加少量正反馈变成振荡器 测量振荡频率 调节 (偏置电流)或 (电容阵列)
- 离线校准:要求 随温度的漂移足够小,否则需连续调谐(缩放副本法)
- Q 限制因素与缓解:
限制因素 物理机制 缓解技术 有限输出阻抗 寄生电阻消耗能量 级联(cascode)提升输出阻抗 Gm 非零相移 寄生极点引入相位延迟 宽带 Gm(过设计)、电容串联小电阻补偿
4. 有源 RC 谐振器(Figure 11.22):
- ,RC 容差 ,必须调谐
- 调谐方法:
- 调节 R:MOS 管连续调节(范围 )或电阻阵列(6-8 bit 数字控制)
- 调节 C:电容阵列(最实用,)
- 两者结合:粗调 R + 精调 C
- 共振器变振荡器同样可行且无需副本模块,但仅能离线校准
5. LC 谐振器(Figure 11.23):
- 三重优势:电感/电容无噪声(噪声优势不消耗功率)、高度线性、不消耗电压余度 最大化信号摆幅
- 同时获得噪声、失真和功率三重优势,在电路设计中非常罕见
- 缺点:
- 片上电感仅几个 nH(>1 GHz 有效);低于 1 GHz 需外接电感
- 外部电感容差()可通过片上电容阵列调谐补偿
- 中心频率可编程范围有限(电感不可电调,< 1 倍频程)
- 二阶系统需两个自由度控制
LC 谐振器的可控性/可观性问题(Figure 11.24-11.26):
- 反馈拓扑需要电流 DAC(并联电容,实用)和电压 DAC(串联电感,低阻电压 DAC 会降低 Q)两类 DAC
- 前馈拓扑需要感知电容电压(容易)和电感电流(困难,不降 Q 的情况下)
- 三种解决方案:
- 前馈路径法(Figure 11.24):从前端 LC 到后端有源 RC 的第二个积分器添加前馈,创造两个自由度补偿 LC 缺失的两个自由度
- 多反馈 DAC 时序法(Figure 11.25):使用不同时序的 DAC 对,如 [0 0.5] + [0.5 1],恢复缺失自由度
- 小电容分压反馈(Figure 11.26):仅连接一小部分电容 到电压 DAC,,电压 DAC 输出阻抗 的影响被衰减 倍
11.5 完整带通调制器设计实例
本节以一个 65nm CMOS 可编程 ADC [1] 展示完整的带通调制器设计。
系统架构(Figure 11.27-11.28):
- DC-1 GHz 输入、最高 100 MHz 带宽
- 6 阶 CT 反馈拓扑、16 级量化、[1, 2] 反馈时序
- 第一个谐振器为 LC,后两个为有源 RC
- 高度可编程:DAC LSB、Flash ADC LSB、积分电容、跨导均 8-bit 控制
- 支持 BP 模式(200-1000 MHz)和 LP 模式(DC-200 MHz)
- 两组外部电感:43 nH (150-220 MHz) / 20 nH (220-380 MHz)
典型 NTF/STF(Figure 11.29):
- 70 MHz 带宽、65 dB 量化噪声衰减、带外 NTF 增益 ~10 dB
- STF 在 DC 处有零点(LC 谐振器的自然特性),低中心频率时 STF 平坦化较困难
- ()时 STF 极宽且平坦,群延迟变化小
11.5.1 LNA(Figure 11.30-11.31)
- 共栅 (CG) 晶体管提供 50Ω 匹配 + 可编程宽度共源 (CS) 晶体管提供 12 dB 增益范围
- 噪声抵消原理(6 dB 增益设置):
- CG 和 CS 跨导均为
- CG 管的噪声电流一半流入 至地,经 CS 管取反后与正向路径抵消
- 在 6 dB 增益设置下,CG 噪声表现为共模信号,被后级抑制
- CS 管的噪声不被抵消——与标准噪声抵消电路不同
11.5.2 衰减器(Figure 11.32-11.33)
- 利用共栅管的虚地特性实现宽带可编程衰减,噪声特性优于传统匹配衰减器
- 噪声因子推导:
- 导通分压比 ,从输入到输出的跨导为
- 源电导 的噪声电流密度:
- 噪声因子:(集成式)vs. (匹配式)
- 12 dB 衰减时:NF = 11.5 dB(集成式)vs. 15 dB(匹配式)
- 将更多信号链集成到 ADC 内可改善 NF-衰减的权衡
11.5.3 放大器(Figure 11.34-11.36)
-
A1 放大器(第一个有源 RC 谐振器,LP 模式):
- 5 阶前馈补偿(Figure 11.34),1st-5th 阶路径平滑过渡
- 从 DC 到 250 MHz 保持 60 dB 增益 → GBW = 250 GHz
- 实际单位增益频率 6 GHz(得益于高阶滚降),相位裕度 75°
- 功耗 100 mW(前端和后端各~50 mW)
-
A3 放大器(第二/三谐振器):
- 7 阶前馈补偿,DC-1 GHz 保持 40 dB 增益
- GBW ≈ 150 GHz,,相位裕度 64°
- 1V 核心供电
11.5.4 测量结果(Figure 11.37-11.41, Table 11.1)
| 参数 | 值 |
|---|---|
| 范围 | 200-400 MHz(43 nH / 20 nH 两组电感) |
| 2-4 GHz | |
| 全摆幅 | -4 至 +23 dBm |
| 最大带宽 | 100 MHz |
| NSD | -157 dBFS/Hz @ 75 MHz BW、12 dB 衰减 |
| 电流消耗 | 110 + 620 + 20 mA (2.5V/1.0V/2.5V) |
| 总功耗 | ~1 W(含数字滤波器) |
| 工艺 | 65nm CMOS |
关键指标:
- STF 变化 < 0.5 dB 跨 100 MHz(Figure 11.37)
- NSD 最低 -161 dBFS/Hz(优化设置)
- U 形带内 NSD 源自 LC 谐振器通带边缘增益降低
- 单音 SNR = 72.4 dB @ 75 MHz BW(Figure 11.38),最大杂散 -103.1 dBc
- 双音 IMD3 < -87 dBc → IIP3 ≈ 31 dBm(Figure 11.39)
- 瞬时 DR = 80 dB,总 DR = 112 dB(LNA + 衰减器控制,Figure 11.40)
- FoM = 159 dB(Figure 11.41,与同期 BP ADC 对比处于先进水平)
11.6 正交信号
正交信号 是两个实信号的复数组合,频谱不必关于 对称。
11.6.1 正交混频(Figure 11.42-11.43)
- 正交下变频: 复基带信号
- 输入 :
- 输出包含 (有用)和 (可滤除)
- 镜像抑制比 (IRR):对于小误差,