本章全面介绍Class-D放大器的保护电路设计,包括DC输出故障保护、过流保护(OCP)和过温保护(OTP)。这些保护对可靠运行至关重要,可防止扬声器损坏、器件过应力和热失控。

14.1 Class-D故障条件

Class-D放大器在实际使用中面临多种故障风险:

  • 扬声器负载阻抗变化、接线错误、短路
  • 过驱动和过热(通风堵塞、风扇故障)
  • 高效率使设计更紧凑,散热余量更小

主要保护类型:

  1. DC输出故障保护(扬声器保护)
  2. 过流保护(OCP)
  3. 过温保护(OTP)
  4. 高频输出保护
  5. 过/欠压保护(电源泵浦)

14.2 DC输出故障保护

14.2.1 为什么需要DC保护

扬声器危害:

  • DC电流流过音圈产生固定锥盆偏移,无音频输出
  • 音圈 功耗导致过热
  • 音圈无运动时无气流冷却,温升更严重
  • 过度锥盆偏移损坏折环和弹波

供电泵浦:半桥拓扑中DC输出导致正负供电轨电流不平衡,引起严重电源泵浦和过压。

14.2.2 高通滤波器

放大器输入端的高通滤波器阻止DC信号传播:

参考设计:(典型范围1Hz–7Hz),确保20Hz处衰减小于0.5dB。

14.2.3 MOSFET短路失效模式

功率MOSFET常见失效模式为短路。若上管短路至+48V轨:

  • 直接连接+48V到8Ω扬声器
  • DC电流
  • 持续功耗

保护必须在器件失效时仍然有效——需要物理断开供电或输出路径。

14.2.4 继电器断开方案

优点:

  • 常开(NO)继电器:默认安全状态
  • 可用于开关机静音(“popless”启动/关闭)
  • 可结合UVLO电路进行驱动资质验证

缺点:

  • 体积和成本:大通孔器件,占PCB面积
  • DC断弧能力:DC电流不经过零,触点分离时产生电弧(等离子体)
    • 电弧距离取决于电压和电流
    • 导致触点烧蚀、粘连或开路
    • DC触点额定值远低于AC额定值
  • 线圈功耗:0.3W–1W(持续保持功率)
  • 磨损:有限操作寿命

锁存继电器:仅在状态切换时消耗功率,静态无需供电。但需注意振动/冲击可能导致意外状态改变,应在每次上电时主动脉冲复位到OPEN状态。

14.2.5 DC故障检测电路

窗口比较器(U26A)检测输出DC偏移:

  • 典型跳变阈值:
  • 3V时8Ω音圈功耗1.125W,4Ω音圈2.25W(安全范围)

DC故障功率对照表:

DC故障电压8Ω音圈功耗4Ω音圈功耗
2V0.5W1W
3V1.125W2.25W
4V2W4W

低通滤波器(R100A + R101A + C63A):

  • 衰减输出电压至比较器输入范围
  • 单极点滚降仅检测DC分量
  • 设计约束:20Hz满幅信号不触发DC故障
  • 初始半周期峰值约为稳态的2倍(需额外裕度)

MOSFET短路响应时间:从0V到+48V阶跃,约20ms达到跳变阈值——产生可闻”砰”声但不应损坏扬声器。

14.2.6 DC故障锁存(LATCH)

采用PNP/NPN “SCR”结构(Q11 + Q16)实现锁存:

  • 触发:任一个DC故障比较器输出低 → Q11导通 → Q16导通 → 正反馈保持
  • 复位:LV_OK信号控制Q12,在上电/下电时保持锁存复位
  • HV过压触发:通过R91输入,HV轨OV也触发锁存
  • 复位方式:关闭再开启AC电源

14.3 过流保护(OCP)

14.3.1 短路电流上升速度

参考设计(,,)输出短路时:

  • 第一周期上管导通(1.9μs):电流从0A上升到4.145A
  • 下管最短导通(100ns):电流仅下降218mA
  • 第二周期:电流从3.927A上升到8.072A
  • 第三周期峰值达12A

14.3.2 OCP阈值选择

  • 最大工作电流:100W/4Ω = =
  • OCP阈值设为
  • 检测延迟4μs → 峰值电流可达16A
  • 电感须承受16A峰值(允许30%饱和)

14.3.3 电流检测方案

方案位置优点缺点
源极电阻下管源极参考固定电平,易接口栅驱动上管需高CMRR电平转换
漏极电阻上管漏极参考静态正HV轨仍需电平转换
电感串联电阻LC电感路径简化功率级布局,单元件大CM电压(音频信号)
检测MOSFET内部无额外元件温度系数大(2.5:1),精度低
霍尔效应传感器电感路径隔离、无CM问题、宽BW传播延迟(4.6μs)

14.3.4 参考设计OCP实现

采用霍尔效应传感器ACS711(U28A):

  • 灵敏度:167mV/A(5V供电)
  • BW:100kHz,传播延迟4.6μs
  • 静态输出:2.5V(双向检测)
  • OCP跳变阈值: → 输出
  • 比较器跳变电平:4.17V和0.83V
  • 窗口比较器(U24A)检测双向过流
  • 快速下降沿(故障=LOW)+ 延时上升沿(R-C可调)

14.3.5 OCP响应类型

  • 锁存关闭:最安全,需手动复位
  • 暂时关断后恢复:可能导致音频”空洞”或dropout
  • 智能控制+信号衰减:关断故障管,立即导通对管加速电流衰减,配合信号衰减——无音频dropout,类似电压削波

注意:闭环设计中,反馈环路在短路时饱和到极限。OCP恢复后误差放大器需从饱和中恢复,某些运放有”粘滞”特性。

14.4 过温保护(OTP)

14.4.1 Class-D热挑战

Class-AB(100W):大散热器+TO-3P封装,热质量大,温升约10°C/min Class-D(100W):SMD DirectFET,每管仅耗散3W,热质量小,温升可达60°C/min

结论:Class-D虽高效但温升更快,需要快速响应的温度传感器。

14.4.2 NTC热敏电阻

  • 25°C标称100kΩ → 120°C降至3kΩ
  • OT跳变温度:120°C
  • 恢复温度:100°C(通过迟滞实现)
  • SMD封装,低热质量,快速响应

14.4.3 OTP响应类型

  • 非锁存(路径A):线或到OC路径,停止开关直到冷却到100°C
  • 锁存(路径B):锁存关闭放大器+HV轨,需AC电源重启
  • 其他方案:降低音量、启用/加速风扇

14.4.4 NTC放置

有散热器:NTC安装在散热器上靠近功率管处 无散热器(参考设计):

  • SMD NTC直接焊接到PCB铜箔上
  • 铜箔导热将MOSFET热量传导至NTC
  • 理想情况:NTC焊盘直连MOSFET热焊盘

电气隔离问题:DirectFET金属外壳连接到漏极(开关节点或HV轨)。解决方案:

  1. 热桥器件(AlN陶瓷):高导热、电绝缘
  2. 电平转换电路:PNP + 可调并联基准(LM385/LM4041),将NTC信号转换到地参考

14.4.5 电源过温保护

多通道设计中,各通道低功率运行可能使Class-D部分温度正常,但电源总功率可能很高,需单独监测电源温度。

参考文献

  • Allegro Microsemiconductor (2022). ACS711 Hall-effect current sensor datasheet.
  • Cordell, B. (2019). Designing Audio Power Amplifiers, 2nd ed. Routledge.
  • Infineon/IR (2016). IRS20957S Protected digital audio driver.
  • IMS (2020). Thermabridge AlN thermal management device.
  • Panasonic (2020). ERTJ-M Series NTC thermistors.
  • TI (2013). LM385 Adjustable micropower voltage reference.
  • TI (2017). LM35 Precision centigrade temperature sensor.
  • TI (2018). LM339 Quad differential comparators.

相关页面