此标签下有3条笔记。
Binkley Ch6 — 微功耗低噪声前置放大器
Binkley Ch6 — Micropower CMOS Preamplifiers Optimized for Low Noise 本章设计并流片验证了两种 0.35 μm SOI CMOS 微功耗前置放大器（差分输入和单端输入），在仅 2 μA 核心电流下实现了极低的热噪声和闪烁噪声，全面演示了噪声优化方法论。 §6.2 横向双极晶体管 SOI CMOS 工艺中的横向双极晶体管（Lateral BJT）在低频率下具有极低的闪烁噪声（无 Si-SiO₂ 界面态的 1/f 噪声），适合超低噪声前置放大器输入级。 §6.3 噪声性能度量 热噪声效率因子 η η=vni,thermal2⋅I...
超低功耗电容耦合前置放大器
超低功耗电容耦合前置放大器 面向麦克风信号采集链的超低功耗电容耦合前置放大器设计策略，从噪声-功耗折中出发，系统讨论前置放大、环路滤波、偏置等关键模块的拓扑选择。由 Nys（SEMTECH）等在 AACD 2015 提出。 设计原则 噪声-功耗折中 热噪声功率与电流消耗成反比： 噪声降低 2× → 所有电流和器件宽度必须加倍（保持电流密度和电压水平不变） 这意味着功耗也加倍 → 只能通过拓扑优化突破 拓扑选择准则 最小化贡献噪声的晶体管数量 将大部分电流投入最关键的第一级（输入级） 输入级提供足够增益 → 压制后续级噪声贡献 最简拓扑最有效：单端共源极 gm 效率是差分输入对的 2×（相同电...
Nys 2016 Ultra Low Power Capacitive Preamplifier for Audio 深度解析
Nys 2016: Ultra Low Power Capacitive Preamplifier for Audio 来源: O. Nys, D. Aebischer, S. Villier, Y. Kunz, D.