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高压运放带宽与线性度优化
高压运放带宽与线性度优化 高压运放（100–200 Vpp）在超声成像和 MEMS 驱动器中的应用对带宽和线性度提出极高要求。通过高 gm 跨导器（薄氧化层 BiCMOS 器件）与高阻抗级（长沟道高压器件）的组合，可在维持高压能力的同时最大化工作频率。由 Ricotti（STMicroelectronics）在 AACD 2015 系统介绍。 关键挑战 1.
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高压运放带宽与线性度优化 高压运放（100–200 Vpp）在超声成像和 MEMS 驱动器中的应用对带宽和线性度提出极高要求。通过高 gm 跨导器（薄氧化层 BiCMOS 器件）与高阻抗级（长沟道高压器件）的组合，可在维持高压能力的同时最大化工作频率。由 Ricotti（STMicroelectronics）在 AACD 2015 系统介绍。 关键挑战 1.