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半导体光电探测器
半导体光电探测器 Sze Ch.13 §13.1–13.8 系统阐述了半导体光电探测器物理：从通用性能参数（§13.1）、光电导（§13.2）、各类光电二极管（§13.3）、雪崩光电二极管 APD（§13.4）、光电晶体管（§13.5），到 CCD 与 CMOS 图像传感器（§13.6）、MSM 光电探测器（§13.7）、量子阱红外探测器 QWIP（§13.8）。本文基于上述章节提炼。太阳能电池见 半导体太阳能电池。 前后关系 前置知识： 半导体能带理论与带隙 — 带隙决定探测波长 pn结电流电压特性与击穿 — p-n 结击穿与耗尽区 金属半导体接触与肖特基势垒 — 肖特基势垒光电探测器 半导...