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非易失性半导体存储器
非易失性半导体存储器 Sze Ch.6 §6.7 系统介绍了非易失性半导体存储器（NVSM）的物理原理与器件结构。从 1967 年 Kahng 和 Sze 提出浮栅概念至今，NVSM 已成为半导体工业最重要的产品之一。本文覆盖存储器分类、浮栅器件（FAMOS/EPROM/EEPROM/Flash）、电荷俘获器件（MNOS/SONOS）的物理机制。基于 Sze Ch.6 §6.7 提炼。 前后关系 前置知识： MOSFET器件物理与缩放 — MOSFET 基本结构与阈值电压 MIS电容器与MOS结构 — 绝缘层中的电流输运 半导体载流子输运现象 — 热发射与隧道效应 1.