此标签下有3条笔记。
ESD电导调制机制
ESD电导调制机制 概述 Ch.2 是本书物理深度最高的章节，系统分析 ESD 脉冲条件下半导体结构中的 电导调制机制。在 ESD 时间域（ns-μs 级）内，大多数过程可视为 绝热（等温）过程，因此电学机制而非热机制决定了初始电导调制现象和 ESD 瞬态波形。热-电热机制仅在接近不可逆失效时变得关键。 所有 ESD 器件中的物理效应均可归结为 五种基本半导体结构 中的电导调制： 基本结构: p-n | n-p-n | p-n-p | p-n-p-n | p-i-n 关键效应: 雪崩击穿 → 双雪崩注入 → 雪崩注入 → 双注入 ↓ ↓ ↓ ↓ 器件应用: 二极管钳位 GGNMOS/Snapb...
IMPATT二极管与微波二极管
IMPATT二极管与微波二极管 Sze Ch.9 系统阐述了 IMPATT 二极管物理：从碰撞电离雪崩+渡越时间产生动态负阻的基本原理（§9.1），到各种结结构（Read/p-n/p-i-n/双漂移/hi-lo）的静态特性（§9.2），小信号分析与阻抗表达（§9.3），功率与效率极限（§9.4），噪声行为（§9.5），器件设计与频率缩放（§9.6），以及 BARITT（§9.7）和 TUNNETT（§9.8）二极管。本文基于 Sze Ch.9 全章提炼。 前后关系 前置知识： pn结电流电压特性与击穿 — 雪崩击穿与碰撞电离基础 隧道二极管与共振隧道二极管 — 另一类微波负阻器件 半导体载流子...
pn结电流电压特性与击穿
pn 结电流电压特性与击穿 pn 结是所有半导体器件的基本构建单元。Sze Ch.2 系统阐述了 pn 结的 I-V 特性（Shockley 方程及其非理想修正）、结击穿机制（雪崩倍增、隧道效应、热不稳定）、瞬态行为与噪声、终端功能（变容管、快速恢复二极管、p-i-n 二极管）以及异质结。本文基于 Sze Ch.2 全章提炼，与 pn结耗尽区分析（Gray §1.2 视角）互补。 前后关系 前置知识： 半导体载流子浓度与费米能级 — 载流子统计、费米能级 半导体载流子输运现象 — 漂移、扩散、复合、隧道效应 pn结耗尽区分析 — 耗尽区宽度、电容、击穿基础 本书内部链条： pn结电流电压特性与...