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半导体异质结与纳米结构
半导体异质结与纳米结构 异质结和纳米结构是现代半导体器件的核心构建模块。从 HBT 的能带工程到 MODFET 的二维电子气，从量子阱激光器到量子点单电子晶体管，维度降低带来的态密度变化深刻影响器件性能。本文基于 Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析 Ch.1 §1.7 提炼。 前后关系 前置知识： 半导体能带理论与带隙 — 带隙、有效质量 半导体晶体结构与晶格 — 晶格匹配 本书内部链条： 半导体异质结与纳米结构（本文）→ 双极晶体管微波特性与异质结 — HBT 能带工程 → JFET MESFET与MODFET — MODFET 的 2DEG ...
隧道二极管与共振隧道二极管
隧道二极管与共振隧道二极管 Sze Ch.8 系统阐述了隧道器件物理：从简并 p-n 结的带间隧道效应（§8.2），到相关隧道器件（反向二极管、MIS 隧道器件、MIM 隧道二极管、热电子晶体管，§8.3），再到双势垒共振隧道二极管（RTD，§8.4）。隧道器件是固态微波振荡器与高速功能器件的物理基础。本文基于 Sze Ch.8 全章提炼。 前后关系 前置知识： pn结电流电压特性与击穿 — p-n 结击穿与隧道击穿基础 半导体能带理论与带隙 — 直接/间接带隙、有效质量 半导体异质结与纳米结构 — 量子阱、能带不连续性 本书内部链条： 隧道二极管与共振隧道二极管（本文）→ IMPATT二极管...