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Ivanov OpAmp Ch9 - 从结构到电路
Ivanov OpAmp Ch9: 从结构到电路 本章展示一个完整的上下而下OpAmp设计实例——从结构概念、晶体管尺寸选择到流片验证，使用0.5μm单N阱CMOS工艺，设计指标：50μA总静态电流、2.2-5.5V电源、轨到轨输入输出、5MHz GBW。本文基于Ivanov & Filanovsky (2004) Ch.9提炼。 前后关系 前置知识： Ivanov OpAmp Ch4 - 增益结构与频率补偿 — 增益结构与补偿 Ivanov OpAmp Ch5 - 输入级设计 — 输入级设计技术 Ivanov OpAmp Ch6 - 中间放大级 — 折叠共源共栅设计 Ivanov O...