S. M. Sze
施敏（Simon Min Sze, 1936—），半导体器件物理学家，交通大学（新竹）电子工程系教授。其著作《Physics of Semiconductor Devices》被引用超过 15,000 次，是当代工程和应用科学领域引用量最高的著作之一。曾在 Bell 电话实验室长期任职。
基本信息
| 属性 | 内容 |
|---|---|
| 全名 | Simon Min Sze（施敏） |
| 所属 | National Chiao Tung University（新竹交通大学）电子工程系 |
| 曾任 | Bell Telephone Laboratories |
| 研究领域 | 半导体器件物理、非挥发性存储器、半导体表面与界面 |
| 代表著作 | Physics of Semiconductor Devices (Wiley, 1st ed. 1969, 2nd ed. 1981, 3rd ed. 2007) |
| 引用量 | 超过 15,000 次（ISI, Thomson Scientific） |
学术贡献
- 《Physics of Semiconductor Devices》：自 1969 年第一版以来，一直是全球半导体器件物理领域的标准教材和核心参考书，历经三次修订
- 非挥发性半导体存储器（NVSM）：浮栅存储器器件物理的重要贡献者（1967 年 Bell Labs 发明 NVSM）
- 半导体表面与界面物理：MOS 结构、界面态、可靠性研究的先驱
- 跨学科整合：将固体物理、材料科学与器件工程紧密结合
代表著作
- Physics of Semiconductor Devices, 3rd Ed. (with Kwok K. Ng, Wiley, 2007) — Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析
- Physics of Semiconductor Devices, 2nd Ed. (Wiley, 1981) — 经典第二版
- Physics of Semiconductor Devices, 1st Ed. (Wiley, 1969) — 奠基之作
- Complete Guide to Semiconductor Devices, 2nd Ed. (Wiley, 2002) — 半导体器件百科全书式参考
相关页面
- Kwok K. Ng — 第三版合著者
- Sze Physics of Semiconductor Devices 深度解析 — 来源页