Kwok K. Ng

Kwok K. Ng,半导体器件工程师与学者,MVC(ProMOS Technologies 子公司)中央实验室研究员。与 S. M. Sze 合著《Physics of Semiconductor Devices》第三版(2007),是半导体器件物理领域的核心参考书。


基本信息

属性内容
全名Kwok K. Ng
所属MVC Central Laboratory(a subsidiary of ProMOS Technologies, Taiwan)
地址San Jose, California
研究领域半导体器件物理、非挥发性存储器、功率器件
代表著作Physics of Semiconductor Devices, 3rd Ed. (Wiley, 2007, 与 S. M. Sze 合著)

学术贡献

  • 《Physics of Semiconductor Devices》第三版合著者:与施敏合作完成了超过 50% 内容的修订与更新,新增三维 MOSFET、非挥发性存储器、调制掺杂 FET、单电子晶体管、共振隧道二极管、IGBT、量子级联激光器、半导体传感器等当代主题
  • 工业界视角:作为 MVC/ProMOS 中央实验室研究员,为教材注入了丰富的工业实践视角

代表著作


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