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MIS电容器与MOS结构
MIS 电容器与 MOS 结构 MIS（金属-绝缘体-半导体）电容器是研究半导体表面物理的最重要器件。Sze Ch.4 系统阐述了理想 MIS 电容理论（积累/耗尽/反型三种状态、C-V 特性）、实际 MOS 电容（界面态、氧化层电荷、功函数差）、载流子输运机制以及非平衡态（深耗尽、雪崩）。Si-SiO₂ 体系是当今所有 MOSFET 和 CMOS 集成电路的物理基础。本文基于 Sze Ch.4 全章提炼。 前后关系 前置知识： 半导体载流子浓度与费米能级 — 费米能级、载流子统计 pn结耗尽区分析 — 耗尽层近似、泊松方程求解 CMOS工艺与器件 — MOS 电容在 CMOS 中的应用 本书...