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金属半导体接触与肖特基势垒
金属半导体接触与肖特基势垒 金属-半导体接触是所有半导体器件的电流入口/出口。Sze Ch.3 系统阐述了肖特基势垒的形成机制（理想模型、界面态、镜像力降低）、五种电流输运过程（热发射、隧道、复合、扩散、少子注入）、势垒高度的四种测量方法、以及欧姆接触理论。本文基于 Sze Ch.3 全章提炼。 前后关系 前置知识： 半导体载流子输运现象 — 热发射、隧道效应、扩散 pn结电流电压特性与击穿 — pn 结二极管对比 pn结耗尽区分析 — 耗尽层理论（与肖特基势垒耗尽层类比） 本书内部链条： 金属半导体接触与肖特基势垒（本文）→ JFET MESFET与MODFET — MESFET 以肖特基结...