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IMPATT二极管与微波二极管
IMPATT二极管与微波二极管 Sze Ch.9 系统阐述了 IMPATT 二极管物理：从碰撞电离雪崩+渡越时间产生动态负阻的基本原理（§9.1），到各种结结构（Read/p-n/p-i-n/双漂移/hi-lo）的静态特性（§9.2），小信号分析与阻抗表达（§9.3），功率与效率极限（§9.4），噪声行为（§9.5），器件设计与频率缩放（§9.6），以及 BARITT（§9.7）和 TUNNETT（§9.8）二极管。本文基于 Sze Ch.9 全章提炼。 前后关系 前置知识： pn结电流电压特性与击穿 — 雪崩击穿与碰撞电离基础 隧道二极管与共振隧道二极管 — 另一类微波负阻器件 半导体载流子...
隧道二极管与共振隧道二极管
隧道二极管与共振隧道二极管 Sze Ch.8 系统阐述了隧道器件物理：从简并 p-n 结的带间隧道效应（§8.2），到相关隧道器件（反向二极管、MIS 隧道器件、MIM 隧道二极管、热电子晶体管，§8.3），再到双势垒共振隧道二极管（RTD，§8.4）。隧道器件是固态微波振荡器与高速功能器件的物理基础。本文基于 Sze Ch.8 全章提炼。 前后关系 前置知识： pn结电流电压特性与击穿 — p-n 结击穿与隧道击穿基础 半导体能带理论与带隙 — 直接/间接带隙、有效质量 半导体异质结与纳米结构 — 量子阱、能带不连续性 本书内部链条： 隧道二极管与共振隧道二极管（本文）→ IMPATT二极管...