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半导体太阳能电池
半导体太阳能电池 Sze Ch.13 §13.9 系统阐述了半导体太阳能电池物理：从光伏效应历史、太阳光谱（AM0/AM1.5）、理想效率极限（Shockley-Queisser 极限）、非理想效应（串联电阻、分流电阻、复合、温度、辐射损伤），到 Si p-n 结光电流的完整推导。本文基于该节提炼。 前后关系 前置知识： pn结电流电压特性与击穿 — p-n 结 I-V 特性、暗电流 半导体光电探测器 — 光电探测通用参数（量子效率、响应率） 半导体能带理论与带隙 — 带隙与光谱响应 本书内部链条： 半导体发光二极管与激光器 — 电→光 vs.